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The study of impurity related defect states in pure and Sc-doped lutetium aluminum garnet Lu3Al5O12 (LuAG) has been performed by the electron spin resonance (ESR) method. A presence of both Yb3+ and Mo5+ impurity ions, incorporated into the crystals from the Lu2O3 oxide and Mo crucible during the growth process, was revealed. It was found that Yb3+ ions substitute for Lu3+ at their regular sites and Mo3+ ions substitute for Al3+ at regular octahedral sites. Concentration of Mo3+ increases by a factor of 10 in the Sc-containing crystals. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
Laguta, V., Slipenyuk, A., Glinchuk, M., Nikl, M., Rosa, J., Vedda, A., et al. (2007). Paramagnetic impurity defects in LuAG and LuAG: Sc single crystals. OPTICAL MATERIALS, 30(1), 79-81 [10.1016/j.optmat.2006.11.001].
Paramagnetic impurity defects in LuAG and LuAG: Sc single crystals
Laguta, VV;Slipenyuk, AM;Glinchuk, MD;Nikl, M;Rosa, J;VEDDA, ANNA GRAZIELLA;Nejezchleb, K.
2007
Abstract
The study of impurity related defect states in pure and Sc-doped lutetium aluminum garnet Lu3Al5O12 (LuAG) has been performed by the electron spin resonance (ESR) method. A presence of both Yb3+ and Mo5+ impurity ions, incorporated into the crystals from the Lu2O3 oxide and Mo crucible during the growth process, was revealed. It was found that Yb3+ ions substitute for Lu3+ at their regular sites and Mo3+ ions substitute for Al3+ at regular octahedral sites. Concentration of Mo3+ increases by a factor of 10 in the Sc-containing crystals. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
Laguta, V., Slipenyuk, A., Glinchuk, M., Nikl, M., Rosa, J., Vedda, A., et al. (2007). Paramagnetic impurity defects in LuAG and LuAG: Sc single crystals. OPTICAL MATERIALS, 30(1), 79-81 [10.1016/j.optmat.2006.11.001].
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
