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Lange, H. (2011). Der Einsatz von Nanoskiving zur Fertigung von Nanostrukturen fr elektronische und optische Anwendungen. ANGEWANDTE CHEMIE, 123, 8720-8740 [10.1002/ange.201101024].
Der Einsatz von Nanoskiving zur Fertigung von Nanostrukturen fr elektronische und optische Anwendungen
Dieser Übersichtsartikel handelt von Nanoskiving (zu Deutsch etwa: Nano-Hartschälen oder Nano-Dünnschleifen) – einer einfachen und kostengünstigen Methode zur Nanofabrikation, die die Notwendigkeit eines Zugangs zu Reinräumen und den dazugehörigen Einrichtigen minimiert, und welche es zudem ermöglicht, Nanostrukturen aus Materialien und in Formen zu erstellen, für die herkömmlichere Methoden der Nanofabrikation ungeeignet wären. Nanoskiving besteht aus drei Stufen: i) Auftragung eines metallischen, halbleitenden, keramischen oder polymeren Dünnfilms auf einer Epoxidharz-Oberfläche; ii) Einbetten dieses Films in Epoxidharz, so dass ein Epoxidharzblock entsteht, in dem der Film eingeschlossen ist; und iii) Aufteilen des Epoxidharz-Blocks in dünne Scheiben mit Hilfe eines Ultramikrotoms. Die Scheiben, die zwischen 30 nm und 10 µm dick sind, enthalten Nanostrukturen, deren laterale Dimensionen den Stärken der eingebetteten Filme entsprechen. Elektronische Anwendungen der Strukturen, die über diesen Prozess erhalten werden, finden sich in der Fabrikation von Nanoelektroden für die Elektrochemie, von chemoresistenten Nanodrähten und von Heterostrukturen organischer Halbleiter. Optische Anwendungen finden sich in den Bereichen der Resonatoren für Oberflächenplasmonen, der plasmonischen Hohlleiter und den Frequenz-selektiven Oberflächen.
Lange, H. (2011). Der Einsatz von Nanoskiving zur Fertigung von Nanostrukturen fr elektronische und optische Anwendungen. ANGEWANDTE CHEMIE, 123, 8720-8740 [10.1002/ange.201101024].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/10281/323374
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
