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We show that the epitaxial growth of thin layers of AlGaAs on Ge and Si substrates allows to obtain single photon sources by exploiting the sparse and unintentional contamination with acceptors of the AlGaAs. Very bright and sharp single photoluminescence lines are observed in confocal microscopy. These lines behave very much as single excitons in quantum dots, but their implementation is by far much easier, since it does not require 3D nucleation. The photon antibunching is demonstrated by time resolved Hanbury Brown and Twiss measurements
Minari, S., Cavigli, L., Sarti, F., Abbarchi, M., Accanto, N., Muñoz Matutano, G., et al. (2012). Single photon emission from impurity centers in AlGaAs epilayers on Ge and Si substrates. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101(17) [10.1063/1.4761939].
Single photon emission from impurity centers in AlGaAs epilayers on Ge and Si substrates
We show that the epitaxial growth of thin layers of AlGaAs on Ge and Si substrates allows to obtain single photon sources by exploiting the sparse and unintentional contamination with acceptors of the AlGaAs. Very bright and sharp single photoluminescence lines are observed in confocal microscopy. These lines behave very much as single excitons in quantum dots, but their implementation is by far much easier, since it does not require 3D nucleation. The photon antibunching is demonstrated by time resolved Hanbury Brown and Twiss measurements
Minari, S., Cavigli, L., Sarti, F., Abbarchi, M., Accanto, N., Muñoz Matutano, G., et al. (2012). Single photon emission from impurity centers in AlGaAs epilayers on Ge and Si substrates. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101(17) [10.1063/1.4761939].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/38422
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
