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Bergamaschini, R., Rovaris, F., Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.

Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy

BERGAMASCHINI, ROBERTO
Primo
;ROVARIS, FABRIZIO;MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA
Ultimo
2016
abstract + slide
heteroepitaxy; Si; Ge; dislocations
English
EDS Extended Defects in Semiconductors 2016
2016
Abstract Book EDS 2016
2016
none
Bergamaschini, R., Rovaris, F., Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.
02 - Intervento a convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/132943
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