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Surface and volume energies of α-, β-, and κ-Ga2O3 under epitaxial strain induced by a sapphire substrate 01 - Articolo su rivista 2024 Bertoni, IlariaUgolotti, AldoScalise, EmilioMiglio, Leo
Silicon phase transitions in nanoindentation: Advanced molecular dynamics simulations with machine learning phase recognition 01 - Articolo su rivista 2024 Rovaris F.Lanzoni D.Barbisan L.Miglio L.Marzegalli A.Scalise E.Montalenti F. +
Hexagonal Diamond phase of Si and Ge by nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2023 Fabrizio RovarisAnna MarzegalliLeonida MiglioEmilio Scalise +
Photonic Properties of Self-Assembled Semiconductor Microstructures 02 - Intervento a convegno 2023 Jacopo PedriniIan ColomboAndrea BarzaghiLeonida MiglioFabio Pezzoli +
Defects in hexagonal Si-Ge nanowires: the extended I3 vs a “virtual” point-like defect 02 - Intervento a convegno 2023 Miglio, LScalise, EMarzegalli, A +
In-Plane Nanowire Growth of Topological Crystalline Insulator Pb₁₋ₓSnₓTe 01 - Articolo su rivista 2023 Bergamaschini R.Montalenti F.Miglio L. +
Continuum modeling of 3D semiconductor epitaxy: thermodynamic and kinetic driving forces behind morphological and compositional evolution 02 - Intervento a convegno 2022 Bergamaschini, RMontalenti, FMiglio, L
Modelling the structural origin of defects in hexagonal Ge nanowires: the extended I3 vs a point-like defect 02 - Intervento a convegno 2022 Miglio, LScalise, EMarzegalli, A +
Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy 01 - Articolo su rivista 2022 Vanacore G. M.Scalise E.Barbisan L.Capitani G.Marzegalli A.Bergamaschini R.Miglio L. +
New insights into the electronic states of the Ge(0 0 1) surface by joint angle-resolved photoelectron spectroscopy and first-principle calculation investigation 01 - Articolo su rivista 2022 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Modeling the kinetic-driven morphological evolution in the 3D epitaxy of semiconductor micro- and nano-structures 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini, RAlbani, MMontalenti, FMiglio, L
Morphological evolution and compositional segregation effects in core-shell nanowires 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini RScalise EAlbani MMontalenti FMiglio L +
Nature and Shape of Stacking Faults in 3C-SiC by Molecular Dynamics Simulations 01 - Articolo su rivista 2021 Barbisan L.Sarikov A.Marzegalli A.Montalenti F.Miglio L.
Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting 01 - Articolo su rivista 2021 Bergamaschini R.Albani M.Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Sarikov A.Barbisan L.Marzegalli A.Montalenti F.Miglio L. +
New approaches and understandings in the growth of cubic silicon carbide 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Marzegalli A.Miglio L. +
Author Correction: In-plane selective area InSb–Al nanowire quantum networks (Communications Physics, (2020), 3, 1, (59), 10.1038/s42005-020-0324-4) 99 - Altro 2021 Sarikov A.Marzegalli A.Miglio L. +
Mechanism of stacking fault annihilation in 3C-SiC epitaxially grown on Si(001) by molecular dynamics simulations 01 - Articolo su rivista 2021 Sarikov, AndreyMarzegalli, AnnaBarbisan, LucaMiglio, Leo +
Extended defects in 3C-SiC: Stacking faults, threading partial dislocations, and inverted domain boundaries 01 - Articolo su rivista 2021 Sarikov A.Marzegalli A.Miglio L. +
Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials 01 - Articolo su rivista 2021 Marzegalli A.Scalise E.Miglio L. +
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